プロフィール

小川 修一(おがわ しゅういち)
博士(工学)

学歴

  • 1998年3月 群馬県立太田高等学校普通科卒業
  • 2003年3月 東北大学工学部機械電子工学科卒業
  • 2008年3月 東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻 博士課程後期3年の課程修了

職歴

  • 2007年4月~2008年3月
    日本学術振興会特別研究員(DC2)
  • 2008年4月~2008年5月
    日本学術振興会特別研究員(PD)(東北大学多元物質科学研究所)
  • 2008年6月~2010年3月
    東北大学多元物質科学研究所 産学官連携研究員
  • 2010年4月~現職
    東北大学多元物質科学研究所 助教
  • 2016年1月~2016年9月
    Fritz-Haber Institute (Germany) 客員研究員
  • 2018年11月~2019年4月National University of Singapore (Singapore) 客員研究員

代表的な論文

  • 「Si(001)表面酸化過程のリアルタイム光電子分光観察:仕事関数と界面電子状態」(日本真空学会真空進歩賞受賞)
    小川修一, 高桑雄二
    真空、Vol. 49, No. 5, pp. 327 – 330 (2006)
    DOI: 10.3131/jvsj.49.327
  • “Rate-Limiting Reactions of the Growth and Decomposition Kinetics of Very Thin Oxide on Si(001) Surfaces Studied by Reflection High Energy Electron Diffraction Combined with Auger Electron Spectroscopy”(応用物理学会論文賞受賞)
    Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa
    Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 45, No. 9A, pp. 7063-7079 (2006)
    DOI: 10.1143/JJAP.45.7063
  • “Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation”
    S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, No. 5B, pp. 3244-3254 (2007)
    DOI: 10.1143/JJAP.46.3244
  • “Catalyst-free Growth of Networked Nanographite on Si and SiO2 Substrates by Photoemission-assisted Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition”
    T. Takami, S. Ogawa, H. Sumi, T. Kaga, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Sato, M. Nihei, Y. Takakuwa
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol. 7, pp. 882-890 (2009)
    DOI: 10.1380/ejssnt.2009.882
  • “Carbonaceous field effect transistor with graphene and diamondlike carbon”
    S. Takabayashi, S. Ogawa, Y. Takakuwa, H.-C. Kang, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Suemitsu, T. Otsuji
    Diamond and Related Materials, Vol. 22, pp. 118-123 (2012)
    DOI: 10.1016/j.diamond.2011.12.037
  • “Graphene Growth and Carbon Diffusion Process During Vacuum Heating on Cu(111)/Al2O3 Substrates”
    S. Ogawa, T. Yamada, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, M. Hasegawa, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, No. 11, 110122 (2013)
    DOI: 10.7567/JJAP.52.110122
  • “Relation Between Oxidation Rate and Oxidation-Induced Strain at SiO2/Si(001) Interfaces during Thermal Oxidation”
    S. Ogawa, J. Tang, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, No. 11, 110128 (2013)
    DOI: 10.7567/JJAP.52.110128
  • “Enhancement of SiO2/Si(001) interfacial oxidation induced by thermal strain during rapid thermal oxidation”
    S. Ogawa, J. Tang, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Takakuwa
    The Journal of Chemical Physics, Vol. 145, No. 11, 114701 (2016)
    DOI: 10.1063/1.4962671
  • “Band alignment determination of bulk h-BN and graphene/h-BN laminates using photoelectron emission microscopy”
    S. Ogawa, T. Yamada, R. Kadowaki, T. Taniguchi, T. Abukawa, Y. Takakuwa
    Journal of Applied Physics, Vol. 125, No. 14 144303 (2019)
    DOI:10.1063/1.5093430

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