５月１日の実験結果です。高速スキャンの実験結果は、若干問題があったので、RHEEDの方だけです。高速スキャンの方は、事前に測定した実験結果をお使いください。
D班とC班でほぼ同じ実験結果でしたので、C班のデータを使う事にします。
実験は、シリコン単結晶を〜420℃で加熱した状態にインジウムを１０分蒸着し、回折パターンの変化を測定しました。
まずは3種類の代表的な回折パターンです。
次は６分ぐらいに現れたパターン
最後は、８分ぐらいにうっすらと現れて、加熱終了後に強く現れたパターン。
そして次は、それぞれに特徴的なスポットの強度変化のグラフです。
グラフの横軸は、インジウム蒸着源に電流を流して加熱を開始した時間を０秒としています。図中の矢印は3種類の写真を撮った時間です。縦の直線は、加熱を止めた時間を示しています。実際にインジウムが蒸着されるのは３００秒ぐらいからです。このグラフを作るためのデータを収めたエクセルファイルも以下からダウンロードできます。
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