基礎ゼミ5月1日のデータ

5月1日の実験結果です。高速スキャンの実験結果は、若干問題があったので、RHEEDの方だけです。高速スキャンの方は、事前に測定した実験結果をお使いください。

D班とC班でほぼ同じ実験結果でしたので、C班のデータを使う事にします。

実験は、シリコン単結晶を〜420℃で加熱した状態にインジウムを10分蒸着し、回折パターンの変化を測定しました。

まずは3種類の代表的な回折パターンです。

RHEED010s_color

蒸着される前のパターン

RHEED010s

蒸着される前のパターン

次は6分ぐらいに現れたパターン

RHEED345s_color

6分ぐらいに現れたパターン

RHEED345s

6分ぐらいに現れたパターン

最後は、8分ぐらいにうっすらと現れて、加熱終了後に強く現れたパターン。

RHEED780s_color

蒸着・加熱終了後のパターン

RHEED780s

蒸着・加熱終了後のパターン

 

そして次は、それぞれに特徴的なスポットの強度変化のグラフです。

Graph0

Spot O, A, Bの強度変化

グラフの横軸は、インジウム蒸着源に電流を流して加熱を開始した時間を0秒としています。図中の矢印は3種類の写真を撮った時間です。縦の直線は、加熱を止めた時間を示しています。実際にインジウムが蒸着されるのは300秒ぐらいからです。このグラフを作るためのデータを収めたエクセルファイルも以下からダウンロードできます。

spot_intensity.xls

以上です。質問などありましたらメール下さい。(メールのサブジェクトに基礎ゼミと入れてください。)

abukawa@tagen.tohoku.ac.jp

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